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J-GLOBAL ID：200903049558026116

化合物半導体単結晶の製造方法およびその利用

Inventor： 澤木 宣彦 ,  山口 雅史 ,  本田 善央
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 釜田 淳爾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001046837
Publication number (International publication number)：2002249400
Application date： Feb. 22, 2001
Publication date： Sep. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】 転位密度が小さい窒化物半導体単結晶を簡便な方法で製造する方法を提供すること。【解決手段】 円換算直径が1μm以下の貫通孔を有するマスクを設けた半導体シリコン基板上に、一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される化合物半導体単結晶を選択的に成長させることを特徴とする、化合物半導体単結晶の製造方法。

Claim (excerpt)：

円換算直径が1μm以下の貫通孔を有するマスクを設けた半導体シリコン基板上に、一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される化合物半導体単結晶を選択的に成長させることを特徴とする、化合物半導体単結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (5)：

C30B 29/38 D ,  C30B 29/38 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

F-Term (38)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF01 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC01 ,  4G077TC06 ,  4G077TC13 ,  4G077TC19 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F045AB18 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA10 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F073AA75 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-311518   Applicant：豊田合成株式会社
• III族窒化物系化合物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-108497   Applicant：松下電子工業株式会社
• GaN単結晶基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-183446   Applicant：住友電気工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Self-assembling GaN quantum dots on AlxGa1-xN surfaces using a surfactant