Pat
J-GLOBAL ID:200903049614852296
カ-ボンナノチュ-ブの製造方法および製造用触媒
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
志賀 正武 (外8名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999205447
Publication number (International publication number):2000095509
Application date: Jul. 19, 1999
Publication date: Apr. 04, 2000
Summary:
【要約】【課題】 直線状の単層カーボンナノチューブを効率よく製造する。【解決手段】 本発明の方法では、炭素蒸気と、ルテニウム、ロジウム、パラジウムおよび白金のうち少なくとも2種を含む非磁性遷移金属とを接触させて、カーボンナノチューブを気相成長させる。例えば、炭素及び前記非磁性遷移金属を含有する棒状の陽極10の先端と、棒状の陰極8の先端とを対向させ、これらの間でアーク放電を行うことにより、炭素蒸気と非磁性遷移金属元素の微粒子を発生させ、陰極8の基端部にカーボンナノチューブを析出させる。アーク放電は、不活性ガスあるいは、水素ガスを含んだ不活性ガスが50〜1500Torrの圧力で満たされた反応容器1内で行う。
Claim (excerpt):
炭素蒸気と、ルテニウム、ロジウム、パラジウムおよび白金のうち少なくとも2種を含む非磁性遷移金属とを接触させて、カーボンナノチューブを成長させる工程を具備することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
IPC (6):
C01B 31/02 101
, B01J 23/40
, B01J 23/44
, B01J 23/46 301
, B01J 23/46 311
, D01F 9/127
FI (6):
C01B 31/02 101 F
, B01J 23/40 M
, B01J 23/44 M
, B01J 23/46 301 M
, B01J 23/46 311 M
, D01F 9/127
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
-
単層カーボンナノチューブの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-082409
Applicant:双葉電子工業株式会社
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特開昭10-273308
-
単層カーボンナノチューブの製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-337937
Applicant:日本電気株式会社
Cited by examiner (4)
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単層カーボンナノチューブの製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-337937
Applicant:日本電気株式会社
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単層カーボンナノチューブの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-082409
Applicant:双葉電子工業株式会社
-
特開昭10-273308
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
-
フラーレン総合シンポジウム講演要旨集, 19980722, vol.15, p.94-96
-
Chemical Physics Letters, 19980925, vol.294,no.6, p.593-598
-
Japanese Journal of Applied Physics,Part2 Letters, 19980515, vol.37,no.5B, p.L616-L618
-
J.Appl.Phys., 19960901, vol.80,no.5, p.3062-3067
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Cited by examiner (4)
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Chemical Physics Letters, 19980925, vol.294,no.6, p.593-598
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Japanese Journal of Applied Physics,Part2 Letters, 19980515, vol.37,no.5B, p.L616-L618
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J.Appl.Phys., 19960901, vol.80,no.5, p.3062-3067
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