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J-GLOBAL ID:200903049657581180

電子機器の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (7): 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007038305
Publication number (International publication number):2008204086
Application date: Feb. 19, 2007
Publication date: Sep. 04, 2008
Summary:
【課題】低コストで、かつ短時間で、EMC対策が精度よくなされた電子機器を設計、製造できる電子機器の製造方法を提供する。【解決手段】金属材料または導電性セラミックスを含む厚さ5〜200nmのノイズ抑制層10を有する電子機器(プリント配線板20)の製造方法であって、(a)ノイズ抑制層を有する電子機器を設計する工程と、(b)設計された電子機器について、電磁界シミュレータを用いて電磁界解析を行い、シミュレーション結果を得る工程と、(c)シミュレーション結果に基づいて、電子機器のEMCを評価し、設計を検証する工程と、(d)設計を検証した結果に基づいて、電子機器を製造する工程とを有し、(b)工程において、複数の周波数におけるノイズ抑制層の複素誘電率および複素透磁率を電磁界シミュレータに入力する、電子機器の製造方法。【選択図】図1
Claim (excerpt):
金属材料または導電性セラミックスを含む厚さ5〜200nmのノイズ抑制層を有する電子機器の製造方法であって、 (a)ノイズ抑制層を有する電子機器を設計する工程と、 (b)設計された電子機器について、電磁界シミュレータを用いて電磁界解析を行い、シミュレーション結果を得る工程と、 (c)シミュレーション結果に基づいて、電子機器のEMCを評価し、設計を検証する工程と、 (d)設計を検証した結果に基づいて、電子機器を製造する工程とを有し、 (b)工程において、複数の周波数におけるノイズ抑制層の複素誘電率および複素透磁率を電磁界シミュレータに入力する、電子機器の製造方法。
IPC (1):
G06F 17/50
FI (1):
G06F17/50 666V
F-Term (3):
5B046AA08 ,  5B046BA04 ,  5B046JA10
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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