化合物半導体薄膜の形成法と同薄膜を用いた光電変換素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997014938
Publication number (International publication number)：1998004206
Application date： Jan. 29, 1997
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】化合物半導体薄膜の中で、特に硫化物薄膜の形成法に関して、均一に薄膜化された高品質で安価な大面積化合物半導体薄膜を得ることが可能な薄膜形成法を提供することを主目的とする。【解決手段】少なくとも一つ以上金属及び硫黄を含む金属有機化合物を塗布した基板を加熱し昇華もしくは蒸発した金属有機化合物を、加熱した金属有機化合物を塗布した基板と間隔を持って配置した薄膜形成用基板に付着させるとともに付着した金属有機化合物を付着と同時にもしくは付着後に熱分解させることにより、金属の硫化物薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

金属及び硫黄を少なくとも一つ以上含む金属有機化合物を加熱し、この加熱により昇華、気化もしくは蒸発した金属有機化合物を薄膜形成用基板に付着させるとともに、付着した金属有機化合物を付着と同時にもしくは付着後に熱分解させることにより金属の硫化物薄膜を得ることを特徴とした化合物半導体薄膜の形成法。

IPC (5)：

H01L 31/04 , C30B 25/02 , C30B 29/46 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (5)：

H01L 31/04 E , C30B 25/02 Z , C30B 29/46 , H01L 21/203 Z , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特公平6-099809
特開昭61-166978
太陽電池の製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-308707 Applicant：松下電器産業株式会社

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