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J-GLOBAL ID:200903049794968211
半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴木 章夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997003542
Publication number (International publication number):1998199882
Application date: Jan. 13, 1997
Publication date: Jul. 31, 1998
Summary:
【要約】【課題】 多層配線構造を有する半導体装置では、半導体装置で発生した熱を上層の配線層にまで伝達して表面から放熱させることが困難となり、熱による半導体装置の特性劣化が生じ易い。【解決手段】 多層構造の配線層のそれぞれにダミー配線膜3A,5A,7A,9Aを設け、各ダミー配線膜をダミースルーホール4b,6b,8bを通して相互に接続する。半導体基板1で発生した熱をこれらダミー配線膜及びダミースルーホールを介して上層の配線層にまで伝達でき、配線構造の表面から効率的に放熱することができる。また、最上層にヒートシンク12を設け、このヒートシンクにダミースルーホール10bを介してダミー配線9A接続することで、放熱をより効果的に行うことができ、半導体装置の高集積化を目的として各配線層に熱伝導率の低い低誘電率の層間絶縁膜を使用した場合にもデバイスの温度上昇を抑制することができ、熱による半導体装置の故障を防止することができる。
Claim (excerpt):
複数の配線層が積層配置された多層配線構造を有する半導体装置において、前記配線層にはそれぞれ配線膜と共にダミーの配線膜が形成され、これらダミーの配線膜が前記各配線層を絶縁するための各層間絶縁膜に設けられたダミーのスルーホールを介して上下の配線層間で相互に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 21/3205
, H01L 21/768
FI (2):
H01L 21/88 Z
, H01L 21/90 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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ダミーバイアスを使用した高速LSI半導体の金属配線の改善方法および半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-178925
Applicant:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
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特開昭54-069394
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特開昭58-079755
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-038434
Applicant:日本電装株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-017254
Applicant:株式会社日立製作所
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