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J-GLOBAL ID：200903049810592553

結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法

Inventor： 高野 清隆 ,  飯野 栄一 ,  桜田 昌弘 ,  山岸 浩利
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 山本 亮一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994300479
Publication number (International publication number)：1996157293
Application date： Dec. 05, 1994
Publication date： Jun. 18, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 結晶欠陥の少ないチョクラルスキー法によるシリコン単結晶を高生産性で得る。【構成】 チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時にシリコンの融点から 1,200°Cまでの高温域を通過する時間が 200分未満であり、 1,200°Cから 1,000°Cまでの低温域を通過する時間が 130分以下となるようにすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に1200°Cから1000°Cまでの低温域を通過する時間が 130分以下となるようにすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 特開昭58-176197
  
• 半導体単結晶およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-017674   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• シリコンウェーハとその製造方法および品質評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-002826   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• 特開平3-275598
  
• 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-134274   Applicant：信越半導体株式会社

Cited by examiner (1)

• 特開昭58-176197