位置規則性ポリマーの製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：葛和清司 , 望月史郎 , 井上洋一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007554454
Publication number (International publication number)：2008537559
Application date： Jan. 17, 2006
Publication date： Sep. 18, 2008
Summary：

本発明は、位置規則性ポリマー、特に高い位置規則性を有する頭-尾(HT)ポリ(3-置換)チオフェンの製造方法、この方法により製造される新規なポリマー、ならびに電界効果トランジスタ(FETs)、エレクトロルミネセント、光発電およびセンサーデバイスを含む、光学、電気光学または電子デバイスにおける、半導体または電荷輸送材料としての新規なポリマーの使用、ならびに新規なポリマーを含むFETおよび他の半導体部品または材料に関する。

Claim (excerpt)：

マグネシウムと反応できる少なくとも2つの基を有する任意に置換されたチオフェンからのポリマーの製造方法であって、触媒量の有機ハロゲン化物または有機マグネシウムのハロゲン化物の存在下において、前記チオフェンをマグネシウムと反応させることにより、位置化学的グリニャール中間体または位置化学的グリニャール中間体の混合物を形成し、および好適な触媒の存在下において、前記グリニャール中間体を重合することによる、前記製造方法。

IPC (7)：

C08G 61/12 , G02F 1/136 , G02F 1/133 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 51/50

FI (9)：

C08G61/12 , G02F1/1368 , G02F1/13357 , H01L29/28 100A , H01L29/28 250G , H01L29/28 310J , H05B33/14 B , H05B33/22 B , H05B33/22 D

F-Term (25)：

2H091FA44Z , 2H091FA45Z , 2H091FB02 , 2H091GA13 , 2H091LA12 , 2H092JA23 , 2H092KA09 , 2H092MA27 , 2H092NA27 , 2H092PA13 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB02 , 3K107BB03 , 3K107CC45 , 3K107DD60 , 3K107DD68 , 3K107DD79 , 3K107GG00 , 4J032BA03 , 4J032BA04 , 4J032BB01 , 4J032BB04 , 4J032BC03 , 4J032CG03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ポリ(3-置換チオフェン)の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-282638 Applicant：科学技術振興事業団
ポリ(3-置換チオフェン)の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-031330 Applicant：カーネギー-メロンユニバーシティ
位置規則的ポリチオフェンを調製するためのハロゲン化チオフェンモノマー
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-551282 Applicant：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

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