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J-GLOBAL ID:200903049839100846
ナノスケール構造体アセンブリ、電界放出装置、マイクロ波真空管増幅器、ディスプレイ装置、及び電界放出構造体の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
三俣 弘文
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000215600
Publication number (International publication number):2001096499
Application date: Jul. 17, 2000
Publication date: Apr. 10, 2001
Summary:
【要約】【課題】 陰極電源から電界放出チップまでの連続した電子移動を提供するナノ構造体アセンブリ、及び、そのようなアセンブリの製造方法を提供する。【解決手段】 ナノスケール構造体アセンブリは、基板2とこの基板2に取り付けられた複数のナノ構造体1とを有する。ナノ構造体1は、基板表面から先端部まで伸び、1.0-100nmの範囲の直径と0.5-100μmの範囲の長さを持つ。複数のナノ構造体1の少なくとも一部の上をカバーする金属コーティング5が設けられ、これにより基板2からナノ構造体1の放出チップ3に導電性パスが形成される。
Claim (excerpt):
基板とこの基板に取り付けられた複数のナノスケール構造体とを有し、前記ナノスケール構造体が、基板表面から先端部まで伸び、1.0-100nmの範囲の直径と0.5-100μmの範囲の長さを持つ、ナノスケール構造体アセンブリにおいて、前記複数のナノスケール構造体の少なくとも一部の上をカバーする金属製フィルムが設けられ、これにより基板からナノスケール構造体の先端部に導電性パスが形成されることを特徴とするナノスケール構造体アセンブリ。
IPC (8):
B81B 7/00
, H01J 1/304
, H01J 9/02
, H01J 23/06
, H01J 29/04
, H01J 31/12
, H03F 3/54
, C01B 31/02 101
FI (8):
B81B 7/00
, H01J 9/02 B
, H01J 23/06
, H01J 29/04
, H01J 31/12 C
, H03F 3/54
, C01B 31/02 101 F
, H01J 1/30 F
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-249096
Applicant:株式会社東芝
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金属被覆カーボンナノチューブおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-170098
Applicant:日本電気株式会社
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微細径導電性円筒およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-112559
Applicant:日本電気株式会社
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特表平7-509803
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電子放出素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-096999
Applicant:株式会社島津製作所
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特表平7-509803
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