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J-GLOBAL ID：200903049862995044

電界効果型トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
石倉 幸治

About 石倉 幸治


Applicant, Patent owner：
NEC化合物デバイス株式会社

About NEC化合物デバイス株式会社


Agent (3)： 金田 暢之 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003042512
Publication number (International publication number)：2004253620
Application date： Feb. 20, 2003
Publication date： Sep. 09, 2004
Summary：
【課題】電界緩和効果を得るとともに、利得を向上させた電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】半導体動作層12上に形成されたソース電極30およびドレイン電極40と、半導体動作層12上のソース電極30とドレイン電極40間に形成される、ドレイン電極40側の側壁が半導体動作層12上面と垂直な面からドレイン電極40側に傾いて形成された第1の傾斜部20aを備えた開口を有する絶縁膜20と、開口を介して半導体動作層12と接合された、少なくともドレイン電極40側の側壁を覆うゲート電極50とを有する構成である。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体動作層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、 前記半導体動作層上の前記ソース電極と前記ドレイン電極間に形成される、前記ドレイン電極側の側壁が前記半導体動作層上面と垂直な面から前記ドレイン電極側に傾いて形成された第1の傾斜部を備えた開口を有する絶縁膜と、 前記開口を介して前記半導体動作層と接合された、少なくとも前記ドレイン電極側の側壁を覆うゲート電極と、 を有する電界効果型トランジスタ。
IPC (4)：
H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/812
FI (3)：
H01L29/80 F ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 S
F-Term (30)：
4M104AA05 ,  4M104BB11 ,  4M104BB28 ,  4M104CC03 ,  4M104DD06 ,  4M104DD08 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD65 ,  4M104FF06 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GM05 ,  5F102GN05 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS03 ,  5F102GS06 ,  5F102GT05 ,  5F102GV07 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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