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J-GLOBAL ID：200903049922681460

III族窒化物系化合物半導体の結晶成長基板の製造方法

Inventor：
永井 誠二

About 永井 誠二

, 
冨田 一義

About 冨田 一義


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社

, 
株式会社豊田中央研究所

About 株式会社豊田中央研究所


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001002723
Publication number (International publication number)：2002211999
Application date： Jan. 10, 2001
Publication date： Jul. 31, 2002
Summary：
【要約】【課題】 転位やクラックの密度が低い高品質の結晶成長基板を得ること。【解決手段】 Si基板(下地基板)とその上に結晶成長させたGaN成長層(基板層)より成る基板のサンプルを、下地基板の厚さを可変パラメータとして多数試作し、その後、この基板を略常温まで冷却して、下地基板を基板層から剥離・除去することにより得られたGaN成長層、即ち、基板層のみから成る結晶成長基板の表面のクラック密度を測定した。例えば、基板層(GaN成長層)の膜厚を略7μmに決めたサンプルに関する測定結果(◆印)からも判る様に、Si基板を薄くする程その減少に伴ってクラック密度は著しく減少する。また、約200μmの下地基板を使用し、基板層の膜厚を7μm,50μm、及び200μmに設定した際の各サンプルのクラック密度からも判る様に、同じSi基板の厚さに対して、基板層を厚くする程クラック密度は著しく減少する。
Claim (excerpt)：
結晶成長基板の下地となる下地基板としてシリコン(Si)、又は炭化珪素(SiC)を用いた、 III族窒化物系化合物半導体の結晶成長基板の製造方法であって、前記下地基板の上に III族窒化物系化合物半導体より成る基板層を成長させ、前記下地基板と前記基板層を加熱又は冷却して、前記下地基板を前記基板層から剥離・除去することにより、残った前記基板層を前記結晶成長基板とすることを特徴とする III族窒化物系化合物半導体の結晶成長基板の製造方法。
IPC (3)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (40)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA01 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF11 ,  5F045BB13 ,  5F045CB02 ,  5F045EB13 ,  5F045EB15 ,  5F045EJ02 ,  5F045HA11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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