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J-GLOBAL ID：200903011774103942

半導体の結晶成長方法

Inventor： 柴田 真佐知
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000240384
Publication number (International publication number)：2002050585
Application date： Aug. 03, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 簡単な方法で低欠陥の半導体が得られる半導体の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 単結晶基板1上にアルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層の表面を陽極酸化して得られる多孔質アルミナ層2上にIII 族窒化物結晶層3を成長させるという簡単な方法により、低欠陥の半導体が得られる。

Claim (excerpt)：

基板上にアルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層の表面を陽極酸化して得られる多孔質アルミナ層上に、上記基板と異なる材料からなる半導体の単結晶を成長させることを特徴とする半導体の結晶成長方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (19)：

5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045HA01 ,  5F045HA06 ,  5F045HA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 化合物半導体層含有基板およびその製造方法ならびにこれを用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-207632   Applicant：松下電子工業株式会社
• ナノ構造体とその製造方法、電子放出素子及びカ-ボンナノチュ-ブデバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-047540   Applicant：キヤノン株式会社
• 化合物半導体の結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-338881   Applicant：日本電気株式会社
• 物体の分離装置及びその方法並びに半導体基体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-361015   Applicant：キヤノン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Self-ordered pore structure of anodized aluminum on silicon and pattern transfer