Pat
J-GLOBAL ID：200903011774103942

半導体の結晶成長方法

Inventor：
柴田 真佐知

About 柴田 真佐知


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000240384
Publication number (International publication number)：2002050585
Application date： Aug. 03, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】 簡単な方法で低欠陥の半導体が得られる半導体の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 単結晶基板1上にアルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層の表面を陽極酸化して得られる多孔質アルミナ層2上にIII 族窒化物結晶層3を成長させるという簡単な方法により、低欠陥の半導体が得られる。
Claim (excerpt)：
基板上にアルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層の表面を陽極酸化して得られる多孔質アルミナ層上に、上記基板と異なる材料からなる半導体の単結晶を成長させることを特徴とする半導体の結晶成長方法。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (19)：
5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045HA01 ,  5F045HA06 ,  5F045HA11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (4)
Show all
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM