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J-GLOBAL ID：200903069205222656

半導体バルク単結晶の製造方法

Inventor： 下山 謙司 ,  藤井 克司
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 釜田 淳爾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000066797
Publication number (International publication number)：2001253794
Application date： Mar. 10, 2000
Publication date： Sep. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高品質の半導体バルク単結晶を効率よく大量に安価で製造することができる方法を提供すること。【解決手段】 基礎基板の両面に半導体バルク単結晶を同時に成長させることを特徴とする半導体バルク単結晶の製造方法。

Claim (excerpt)：

基礎基板の両面に半導体バルク単結晶を同時に成長させることを特徴とする半導体バルク単結晶の製造方法。

IPC (6)：

C30B 25/02 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  C30B 29/38

FI (6)：

C30B 25/02 Z ,  H01L 21/268 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/26 E

F-Term (26)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB02 ,  4G077DB05 ,  4G077ED04 ,  4G077FJ04 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TB04 ,  5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA63 ,  5F041CA64 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA02 ,  5F073DA04 ,  5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-322133   Applicant：豊田合成株式会社
• エピタキシャルウェハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-257070   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開平2-248400
  
• Mgドープ窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-171972   Applicant：住友電気工業株式会社
• 電子デバイス用基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-343895   Applicant：ティーディーケイ株式会社