Pat

J-GLOBAL ID：200903049955047065

<1-100>方向にオフカットした基板上で成長させた炭化ケイ素エピタキシャル層

Inventor： ランディニ,バーバラ,イー. ,  ブランデス,ジョージ,アール. ,  ティシュラー,マイケル,エー.
Applicant, Patent owner： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
Agent (1)： 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001505042
Publication number (International publication number)：2003502857
Application date： Jun. 01, 2000
Publication date： Jan. 21, 2003
Summary：

【要約】基板の<1-100>結晶方向に約6〜約10°のオフカット角度を有する六方晶系結晶形態のSiC結晶基板のオフカット面上で成長させた炭化ケイ素エピタキシャル膜。得られた炭化ケイ素エピタキシャル膜は、優れた形態学的性質および物性を有する。

Claim (excerpt)：

六方晶系結晶構造を有するSiC基板のオフカット面上で成長させたエピタキシャルSiC膜であって、該オフカット面が約6〜約10°のオフカット角度を有し、該オフカット面の結晶方向が該基板の6つの等価な<1-100>方向±7.5°のうちの1つの方向を向いている、エピタキシャルSiC膜。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/36

FI (2)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/36 A

F-Term (21)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077EA01 ,  4G077EA05 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC02 ,  4G077TK06 ,  5F045AA01 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AE25 ,  5F045BB02 ,  5F045BB12 ,  5F045DA67

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-278699   Applicant：三洋電機株式会社
• 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-241899   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体基板及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-072006   Applicant：キヤノン株式会社