ウェハ研磨装置用ウェハ保持プレート及びその製造方法、並びに半導体ウェハの研磨方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998179262
Publication number (International publication number)：1999320394
Application date： Jun. 25, 1998
Publication date： Nov. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】耐熱性、耐熱衝撃性及び耐食性に優れ、半導体ウェハの大口径化、高精度化及び高品質化に対応可能なウェハ研磨装置用ウェハ保持プレートを提供すること。【解決手段】このウェハ保持プレート6は、テーブル2とともにウェハ研磨装置1を構成している。このプレート6は、テーブル2の研磨面2aに対して半導体ウェハ5を摺接させるべく、自身の保持面6aに半導体ウェハ5を保持する。このプレート6は、密度が2.7g/cm3 以上である炭化珪素焼結体製の緻密体であって、熱伝導率が30w/mK以上である。

Claim (excerpt)：

ウェハ研磨装置を構成しているテーブルの研磨面に対して半導体ウェハを摺接させるべく、保持面に前記半導体ウェハを保持するウェハ保持プレートにおいて、密度が2.7g/cm3 以上である珪化物セラミックス製または炭化物セラミックス製の緻密体からなるウェハ研磨装置用ウェハ保持プレート。

IPC (2)：

B24B 37/04 , H01L 21/304 622

FI (2)：

B24B 37/04 J , H01L 21/304 622 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

研磨用定盤
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-063876 Applicant：京セラ株式会社
特開昭63-139662
中空セラミックスプレート及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-144091 Applicant：住友金属工業株式会社

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