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J-GLOBAL ID：200903050078440557

p型窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

Inventor： 蝶々 一幸 ,  山田 孝夫 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996313442
Publication number (International publication number)：1998154829
Application date： Nov. 25, 1996
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：

【要約】【目的】 キャリア濃度の高いp型窒化物半導体が得られる成長方法を提供することにより、そのp型窒化物半導体を用いた各種デバイスの発光効率、受光効率を向上させる【構成】 有機金属気相成長法により窒化物半導体を成長させる方法において、前記窒化物半導体成長中にp型不純物と、酸素とを同時にドープする。

Claim (excerpt)：

有機金属気相成長法により窒化物半導体を成長させる方法において、前記窒化物半導体成長中にp型不純物と、酸素とを同時にドープすることを特徴とするp型窒化物半導体の成長方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 ,  H01L 31/04

FI (4)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 C ,  H01L 31/04 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 低抵抗p型GaN結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-258054   Applicant：科学技術振興事業団
• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-357046   Applicant：日亜化学工業株式会社