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J-GLOBAL ID：200903050098982267

半導体装置の製造方法

Inventor：
小寺 雅子

About 小寺 雅子

, 
松井 嘉孝

About 松井 嘉孝


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001275593
Publication number (International publication number)：2003086675
Application date： Sep. 11, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：
【要約】【課題】pn接合を介して電気的に接続する導電体が露出する状態の半導体装置に対して薬液処理を行う際、光コロージョンの発生を抑制する。【解決手段】 pn接合を介して電気的に接続する導電体に対してスラリーを供給しつつCMP処理を行う(S101,102)、スラリー及び研磨屑を除去する(S103)、電解水を供給する(S104)、ウェハの表面に電解水が付着した状態で、ウェハをウェハキャリアから取り外す(S105)。
Claim (excerpt)：
pn接合するp型半導体層及びn型半導体層が形成された半導体基板のデバイス面上に複数の開口を有する絶縁膜と、前記開口内及び前記絶縁膜上に形成され、前記p型半導体層及びn型半導体層に電気的に接続する導電体とを具備する半導体装置の前記デバイス面を下向きにして、該デバイス面に研磨パッド表面を当接させた状態で、該研磨パッドと該デバイス面との間にスラリーを供給しつつ、前記半導体装置と前記研磨パッドとを相対的に移動させて、前記導電体に対して化学的機械研磨を行って、前記絶縁膜上の導電体を除去し、前記複数の開口内にそれぞれ配線を形成する工程と、前記研磨パッド表面に前記半導体装置のデバイス面を当接させた状態で、該研磨パッドと該デバイス面との間に機能水及び有機物が添加された溶液の少なくとも一方を供給する工程と、前記半導体装置のデバイス面の前記研磨パッドへの当接を解除する工程とを具備することを特徴する半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/768 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/304 622
FI (4)：
B24B 37/04 Z ,  H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/90 A
F-Term (21)：
3C058AA07 ,  3C058AC05 ,  3C058CA01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ92 ,  5F033XX18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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