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J-GLOBAL ID：200903050177408002

レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ

Inventor： 井利 潤一郎 ,  稲田 源次 ,  西脇 正行 ,  須釜 定之 ,  森本 弘之
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 阪本 善朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004335289
Publication number (International publication number)：2005268752
Application date： Nov. 19, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：

【課題】レーザ加工によって形成された内部亀裂を起点とする割れを基板表面の割断予定線に確実に誘導する。【解決手段】シリコン基板10の内部の所定の深度の集光点にレーザ光を集光させて集光点から深度方向にのびる内部亀裂12a〜12cを発生させ、このレーザ光をシリコン基板10の割断予定線Cに沿って走査することで亀裂群を形成し、基板表面11にはケガキによる凹部である表面加工痕11aを設ける。外力によってシリコン基板10を素子チップに分割する割断工程で、表面における応力の集中が表面加工痕11aに生じて表面加工痕11aと内部亀裂12が連結することで、確実に割断予定線Cに沿って分断されるため、精密な割断を行うことができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

レーザ光によって被割断部材から切片を分離するためのレーザ割断方法であって、 被割断部材表面に応力を集中させるための凹部を該被割断部材表面に形成する表面加工工程と、 被割断部材内部の所定の深度の集光点に前記レーザ光を集光させ、該集光点から前記被割断部材表面に交差する方向にのびる内部加工領域を形成するとともに、前記レーザ光を前記被割断部材表面に沿って相対移動させることで、前記レーザ光が相対移動した被割断部材表面に沿って当該被割断部材表面下の内部に前記内部加工領域を形成する内部加工領域形成工程と、 前記被割断部材に外力を与えることによって前記凹部と前記内部加工領域との間に亀裂を形成する亀裂形成工程と、 を有することを特徴とするレーザ割断方法。

IPC (5)：

H01L21/301 ,  B23K26/06 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B28D5/00

FI (6)：

H01L21/78 B ,  B23K26/06 A ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40 ,  B28D5/00 Z ,  H01L21/78 T

F-Term (18)：

3C069AA02 ,  3C069BA08 ,  3C069BB01 ,  3C069CA05 ,  3C069CA06 ,  3C069EA01 ,  3C069EA02 ,  3C069EA04 ,  4E068AA01 ,  4E068AA02 ,  4E068AA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CD04 ,  4E068CD08 ,  4E068CD09 ,  4E068CD13 ,  4E068DA10 ,  4E068DB12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• レーザ加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-278768   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
• レーザ加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-278663   Applicant：浜松ホトニクス株式会社