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J-GLOBAL ID：200903050278241656

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
東 清一郎

About 東 清一郎

, 
鮫島 俊之

About 鮫島 俊之


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999234583
Publication number (International publication number)：2001060690
Application date： Aug. 20, 1999
Publication date： Mar. 06, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 薄膜トランジスタの製造工程に於いて、レーザー結晶化直後にpoly-Si膜中の欠陥を低減し、かつ熱的に安定な表面状態を実現する。【解決手段】 レーザー結晶化をおこなった後に不活性ガス希釈酸素プラズマ処理および水素プラズマ処理を真空中連続プロセスでおこなう。これらの処理は基板温度1000°C以上で行ない、水素プラズマ処理の時間は400秒以下である。また、酸素プラズマ処理は酸素ガスを不活性ガスによって10%以下に希釈して行なう。
Claim (excerpt)：
光照射により薄膜半導体を結晶化させることによってトランジスタの能動層を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、該光照射をおこなった後水素プラズマおよび酸素プラズマによる処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20
FI (3)：
H01L 29/78 627 E ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G
F-Term (77)：
5F052AA02 ,  5F052AA03 ,  5F052AA11 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA02 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DA04 ,  5F052DA06 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB05 ,  5F052DB07 ,  5F052EA11 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052JA01 ,  5F052JA09 ,  5F110AA17 ,  5F110AA19 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD24 ,  5F110DD25 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF25 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ17 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP07 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP31 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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