薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997161472
Publication number (International publication number)：1999008195
Application date： Jun. 18, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】欠陥の少ない良質な多結晶半導体薄膜、表面準位の少ない良好な界面を形成するプロセスを与える。【解決手段】非晶質半導体薄膜上に真空中でレーザー照射をおこなった後、酸素ガスまたは酸素ラジカルを導入し、この雰囲気中で該半導体膜に再びレーザー照射をおこなう。または、単に酸素ラジカルによって表面安定化をおこなう。

Claim (excerpt)：

半導体薄膜にレーザービームを照射し結晶化することによって能動層を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、真空中で前記レーザービーム照射をおこなった後、連続的に酸素ガス雰囲気中でレーザービーム照射をおこなうことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 27/12 R , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体デバイスのレーザー処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-309826 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-328223 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法及び半導体装置の作製装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-100642 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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