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J-GLOBAL ID：200903050313647091

半導体レーザ

Inventor： 菊川 知之 ,  川面 英司 ,  吉田谷 弘明
Applicant, Patent owner： アンリツ株式会社
Agent (1)： 小池 龍太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993199205
Publication number (International publication number)：1995038198
Application date： Jul. 16, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、高出力動作、単一モード発振を可能とする端面保護膜を備えた半導体レーザに関する。【構成】レーザ共振器面に設けた端面保護膜が、基板と格子整合がとれそれぞれ異なった屈折率を有し、厚さがレーザ光波に対する1/4波長相当長である一対の半導体材料でなること。それが、レーザ共振器面にほぼ平行に形成されていること。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたクラッド層と活性層とを含む半導体多層膜に対して溝を形成し、該溝の側壁をレーザ共振器面として利用した所定波長の光波を発生する半導体レーザにおいて、前記レーザ共振器面には前記溝の側壁の壁面にほぼ平行に形成された多層の端面保護膜を備え、該多層の端面保護膜は少なくとも一対の、前記半導体基板と格子整合がとれ第一の屈折率を有し、かつ厚さが該光波に対する1/4波長相当長である第1の半導体材料と、前記半導体基板と格子整合がとれ第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有し、かつ厚さが該光波に対する1/4波長相当長である第2の半導体材料とからなることを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-132817   Applicant：古河電気工業株式会社
• 半導体発光装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-104989   Applicant：松下電工株式会社
• 特開昭61-267388