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J-GLOBAL ID:200903050443727844
テラヘルツ波照射方式
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004075300
Publication number (International publication number):2005224580
Application date: Feb. 16, 2004
Publication date: Aug. 25, 2005
Summary:
【課題】 本発明は、テラヘルツ波と他のエネルギー供給手段と組み合わせることによって、処理対象物全体に影響を与えずに、一部分だけを分子レベルで選択的に、効率良く処理できる方式を提供するものである。【解決手段】 本発明は、被照射物が有する固有の振動数のテラヘルツ波を照射する時、照射箇所を加冷・加熱手段を用いて所定の温度にすること、所定の振動数の電磁波を照射すること、所定の電圧を印加すること、所定の磁界を加えること、所定の力学的刺激を与えること、所定の酵素などを供給すること、あるいは、これらの方式を組み合わせて用いること、そして、テラヘルツ波の作用を広げるための最適構造の金属アンテナを用いることによって、上記課題を解決するものである。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
生体細胞や化学薬品などの被照射物に、被照射物が有する固有の振動数近くのテラヘルツ波を照射して、測定・処理する方式において、
加冷あるいは加熱手段を用いて、被照射物の照射箇所などを所定範囲の温度に制御することを特徴とするテラヘルツ波照射方式
IPC (2):
FI (3):
A61N5/06 Z
, A61N5/00
, C12N15/00 A
F-Term (14):
4B024AA11
, 4B024AA19
, 4B024AA20
, 4B024CA01
, 4B024CA11
, 4B024EA04
, 4B024GA11
, 4B024HA14
, 4C082PA10
, 4C082PC10
, 4C082PL10
, 4C084AA11
, 4C084ZB26
, 4C084ZC71
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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光化学反応による異常増殖細胞の滅失方法とその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-058749
Applicant:日本赤外線工業株式会社
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加温治療装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-046339
Applicant:オリンパス光学工業株式会社
-
表面形状が変化するセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-207128
Applicant:松下電器産業株式会社
-
遠赤外線磁気放射体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-213978
Applicant:小松崎靖男
-
エネルギーと薬の適用による組織の処置
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2001-526114
Applicant:ノヴァシスメディカルインコーポレイテッド
-
テラヘルツ波発振増幅混合器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-163586
Applicant:財団法人半導体研究振興会
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