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J-GLOBAL ID:200903050487603948

配線電極構造及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鹿嶋 英實
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001366519
Publication number (International publication number):2003168685
Application date: Nov. 30, 2001
Publication date: Jun. 13, 2003
Summary:
【要約】【課題】 マイクロリアクタ等を構成する微小基板上に微細配線として形成した場合であっても、比較的抵抗率が低く、かつ、周辺の絶縁膜との接合性や密着性に優れた配線電極構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ヒータ配線50は、金又はその合金材料等の低抵抗特性を有する第2の導電性配線層52a、52bと、酸化物又は窒化物等からなる薄膜ヒータ(抵抗体層)40又は絶縁性の保護膜60との間に、タングステン又はその合金材料等の高融点金属材料からなる第1の導電性配線層51a、51b又は第3の導電性配線層53a、53bが介挿された積層構造を有している。また、第1の導電性配線層51bのパターン幅が、第2の導電性配線層52b及び第3の導電性配線層53bのパターン幅よりも広く構成された段差を備えた断面構造を有している。
Claim (excerpt):
基板の一面側に所定のパターン形状を有して設けられた温度調整層と、前記温度調整層上に所定の配線パターン形状を有して順次積層された、第1の導電性配線層及び第2の導電性配線層を備えた積層配線と、を具備し、前記第1の導電性配線層は、前記第2の導電性配線層の前記導電性材料よりも線膨張率の低い材料を有し、前記第2の導電性配線層は、前記第1の導電性配線層より抵抗率の低い導電性材料を有することを特徴とする配線電極構造。
IPC (5):
H01L 21/3205 ,  C01B 3/32 ,  H01M 8/04 ,  H01M 8/06 ,  H01M 8/10
FI (6):
C01B 3/32 A ,  H01M 8/04 J ,  H01M 8/06 A ,  H01M 8/06 G ,  H01M 8/10 ,  H01L 21/88 R
F-Term (20):
4G040EA02 ,  4G040EA06 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM18 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ13 ,  5H026AA06 ,  5H026CC03 ,  5H026CV02 ,  5H026CX05 ,  5H027AA06 ,  5H027BA01 ,  5H027BA05 ,  5H027MM21
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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