半導体加速度センサ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001368827
Publication number (International publication number)：2003166998
Application date： Dec. 03, 2001
Publication date： Jun. 13, 2003
Summary：

【要約】【課題】耐衝撃性が高く、低コスト化、軽量化および薄型化が可能な半導体加速度センサを提供する。【解決手段】厚み方向の中間部にシリコン酸化膜からなる埋込絶縁層102を有するSOI基板100’を用いて形成したセンサ本体1の厚み方向の表裏両側に可撓性を有するフィルムからなるストッパ20,30がセンサ本体に重ね合わせた形で固着されている。センサ本体1は、重り部12における活性層102よりも裏面側の部分の厚さを、支持枠11における活性層102よりも裏面側の部分の厚さよりも所定厚さだけ薄くなるように設定してある。ストッパ20は、センサ本体1の厚み方向の表面側に接合用薄膜層22を介して固着されている。

Claim (excerpt)：

半導体材料を主成分とする枠状の支持枠の表裏に貫通する開口窓内に配置した重り部が可撓性を有する撓み部を介して支持枠に一体に連結され、かつ重り部への加速度の作用により撓み部に生じる応力を検出する歪検出素子が撓み部に設けられたセンサ本体と、センサ本体の表面側に重ね合わせた形で固着され重り部の移動量を規制する第1のストッパと、センサ本体の裏面側に重ね合わせた形で固着され重り部の移動量を規制する第2のストッパとを備え、前記各ストッパは、可撓性を有するフィルムにより形成されてなることを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (3)：

G01P 15/12 , H01L 29/84 , G03F 7/038 504

FI (3)：

G01P 15/12 , H01L 29/84 A , G03F 7/038 504

F-Term (27)：

2H025AB16 , 2H025AB20 , 2H025AC01 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BC69 , 2H025CB25 , 2H025FA03 , 2H025FA15 , 2H025FA29 , 4M112AA02 , 4M112BA01 , 4M112CA21 , 4M112CA23 , 4M112CA28 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA12 , 4M112DA16 , 4M112DA18 , 4M112EA03 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA11 , 4M112EA14 , 4M112FA07 , 4M112FA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

小型電子部品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-176728 Applicant：株式会社村田製作所
加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-022874 Applicant：株式会社東海理化電機製作所
加速度センサー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-243975 Applicant：松下電工株式会社

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