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J-GLOBAL ID：200903050534532264

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： 渡邉 幸宗 ,  右田 真司 ,  三瀬 信行
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所 ,  株式会社ルネサステクノロジ
Agent (3)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005169631
Publication number (International publication number)：2006344804
Application date： Jun. 09, 2005
Publication date： Dec. 21, 2006
Summary：

【課題】 接合リークを抑制しつつ、ソース/ドレイン層の低抵抗化を図るとともに、ショートチャネル効果を抑制する。【解決手段】 ゲート電極15の一方の側に絶縁層12に底面が接する合金層からなるソース層18aを配置し、単結晶半導体層13の結晶方位面20aに沿ってチャネル領域17に対する接合面を形成し、ゲート電極15の他方の側に絶縁層12に底面が接する合金層からなるドレイン層18bを配置し、単結晶半導体層13の結晶方位面20bに沿ってチャネル領域17に対する接合面を形成し、ソース層18aを構成する合金層と単結晶半導体層13との界面には、結晶方位面20aに沿うようにして自己整合的に形成された不純物導入層19aを設け、ドレイン層18bを構成する合金層と単結晶半導体層13との界面には、結晶方位面20bに沿うようにして自己整合的に形成された不純物導入層19bを設ける。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

絶縁層上に形成された半導体層と、 ゲート絶縁膜を介して前記半導体層上に配置されたゲート電極と、 前記半導体層の結晶方位面に沿ってチャネル領域に対する接合面が配置され、前記絶縁層に底面が接する合金層または金属層を含んで構成されたソース/ドレイン層と、 前記合金層または金属層と前記半導体層との界面に沿って自己整合的に形成された不純物導入層とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/417

FI (10)：

H01L29/78 616S ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301Q ,  H01L29/50 M

F-Term (120)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD37 ,  4M104DD75 ,  4M104DD77 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104DD84 ,  4M104EE09 ,  4M104FF28 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH16 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE31 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG30 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA10 ,  5F140AA21 ,  5F140AA24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA10 ,  5F140BA20 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BG03 ,  5F140BG05 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG36 ,  5F140BG37 ,  5F140BG40 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ21 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK13 ,  5F140BK15 ,  5F140BK21 ,  5F140BK24 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-296327   Applicant：沖電気工業株式会社

Cited by examiner (3)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-296327   Applicant：沖電気工業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-167319   Applicant：富士通株式会社
• 特開平1-114070