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J-GLOBAL ID:200903050544958006
電子素子、集積回路およびその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (7):
中村 智廣
, 成瀬 勝夫
, 小泉 雅裕
, 青谷 一雄
, 井出 哲郎
, 片岡 忠彦
, 鳥野 正司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003280374
Publication number (International publication number):2005045188
Application date: Jul. 25, 2003
Publication date: Feb. 17, 2005
Summary:
【課題】 環境負荷が少なく、半導体特性に優れた輸送層を備えた電子素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 基体12の表面に、少なくとも、複数のカーボンナノチューブが相互に架橋した網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体層14により構成された輸送層を備える電子素子、並びに、基体12の表面に、官能基を有するカーボンナノチューブを含む溶液を塗布する塗布工程と、塗布後の前記溶液を硬化して、輸送層として用いられ、前記複数のカーボンナノチューブが相互に架橋した網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体層14を形成する架橋工程とを含む電子素子の製造方法である。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
3以上の複数の電極と、
複数のカーボンナノチューブ、および、異なる前記カーボンナノチューブ間を化学結合で架橋する架橋部位、によって網目構造に形成されたカーボンナノチューブ構造体から構成される層であって、前記複数の電極に印加された電圧に応じてキャリアが輸送される輸送層と、
を備えることを特徴とする電子素子。
IPC (8):
H01L29/06
, B82B1/00
, C01B31/02
, H01L21/336
, H01L21/338
, H01L29/786
, H01L29/812
, H01L51/00
FI (7):
H01L29/06 601N
, B82B1/00
, C01B31/02 101F
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 627C
, H01L29/80 B
, H01L29/28
F-Term (36):
4G146AA11
, 4G146AA12
, 4G146AB07
, 4G146AC03B
, 4G146AD30
, 4G146BA13
, 4G146BC02
, 4G146BC32B
, 5F102GA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GL05
, 5F102GL10
, 5F102GS03
, 5F102GV07
, 5F102GV08
, 5F110AA14
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE03
, 5F110EE43
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF27
, 5F110GG01
, 5F110GG42
, 5F110GG57
, 5F110GG58
, 5F110HK02
, 5F110HK32
, 5F110QQ04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
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電界効果トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-204182
Applicant:日本電気株式会社
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重合体コンポジット
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-295899
Applicant:東レ株式会社
-
官能化されたナノチューブ
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平9-531955
Applicant:ハイピリオンカタリシスインターナショナルインコーポレイテッド
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