Pat

J-GLOBAL ID：200903050587334537

ダイヤモンドマイクロ電極

Inventor： ピックルス、チャールズ、サイモン、ジェームズ ,  ホール、クライヴ、エドワード ,  ジャン、リー ,  パーキンス、ニール ,  クライホルスト、リカルド、アントニウス
Applicant, Patent owner： エレメント シックス リミテッド
Agent (4)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  池田 幸弘
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006522423
Publication number (International publication number)：2007501389
Application date： Jul. 27, 2004
Publication date： Jan. 25, 2007
Summary：

非電気伝導性ダイヤモンドから形成されたダイヤモンド層を含み、前記非伝導性ダイヤモンド層を少なくとも部分的に通って伸び、電気伝導性ダイヤモンド領域を与える電気伝導性ダイヤモンドの一つ以上のピン又は突出部を含む、マイクロ電極。

Claim (excerpt)：

非電気伝導性ダイヤモンドから形成されたダイヤモンド層を含み、前記非伝導性ダイヤモンド層を少なくとも部分的に通って伸び、電気伝導性ダイヤモンド領域を与えている電気伝導性ダイヤモンドの一つ以上のピン又は突出部を含む、マイクロ電極。

IPC (1)：

G01N 27/30

FI (2)：

G01N27/30 B ,  G01N27/30 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開平4-312982
  
• ダイヤモンド薄膜イオンセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-198822   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• ダイヤモンド薄膜バイオセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-042211   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• ダイヤモンド積層基板、電気化学素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-198089   Applicant：凸版印刷株式会社, 独立行政法人物質・材料研究機構
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-088314   Applicant：科学技術振興事業団
• 被検化合物の検出方法、およびそれに用いるダイヤモンド電極および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-315660   Applicant：藤嶋昭
• ダイヤモンド電極およびその製造法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-518488   Applicant：プロアクアディアマントエレクトローデンプロドゥクツィオーンゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニーコマンディートエアヴェルプスゲゼルシャフト