ダイヤモンドマイクロ電極

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：浅村皓 , 浅村肇 , 安藤克則 , 池田幸弘
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006522423
Publication number (International publication number)：2007501389
Application date： Jul. 27, 2004
Publication date： Jan. 25, 2007
Summary：

非電気伝導性ダイヤモンドから形成されたダイヤモンド層を含み、前記非伝導性ダイヤモンド層を少なくとも部分的に通って伸び、電気伝導性ダイヤモンド領域を与える電気伝導性ダイヤモンドの一つ以上のピン又は突出部を含む、マイクロ電極。

Claim (excerpt)：

非電気伝導性ダイヤモンドから形成されたダイヤモンド層を含み、前記非伝導性ダイヤモンド層を少なくとも部分的に通って伸び、電気伝導性ダイヤモンド領域を与えている電気伝導性ダイヤモンドの一つ以上のピン又は突出部を含む、マイクロ電極。

IPC (1)：

G01N 27/30

FI (2)：

G01N27/30 B , G01N27/30 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開平4-312982
ダイヤモンド薄膜イオンセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-198822 Applicant：株式会社神戸製鋼所
ダイヤモンド薄膜バイオセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-042211 Applicant：株式会社神戸製鋼所

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Cited by examiner (7)

特開平4-312982
ダイヤモンド薄膜イオンセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-198822 Applicant：株式会社神戸製鋼所
ダイヤモンド薄膜バイオセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-042211 Applicant：株式会社神戸製鋼所

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