Pat

J-GLOBAL ID：200903050656665206

堆積膜の形成装置及び形成方法

Inventor： 佐野 ひとみ ,  須貝 浩士 ,  小池 淳 ,  金井 正博
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999294122
Publication number (International publication number)：2000192244
Application date： Oct. 15, 1999
Publication date： Jul. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 大面積で均一な放電が長時間維持でき、連続して移動する帯状部材上に、高品質で優れた均一性を有する堆積膜が形成できる装置及び方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る堆積膜の形成装置は、真空容器と、該真空容器内に成膜用の原料ガスを供給する手段と、該原料ガスをプラズマ化するために用いる該真空容器内に設けたアンテナ状の放電電極と、該放電電極及び該放電電極に高周波電力を印加する部材から構成された電力導入経路と、該真空容器内に設けた基板と、を少なくとも有する堆積膜の形成装置において、前記放電電極に高周波電力を印加する部材が、前記放電電極に高周波電力を供給する給電導体、前記真空容器内において前記給電導体を囲むように配置されたアースシールド、及び、前記給電導体と前記アースシールドとの間に充填された複数の絶縁部材からなる誘電体材料、で構成されたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

真空容器と、該真空容器内に成膜用の原料ガスを供給する手段と、該原料ガスをプラズマ化するために用いる該真空容器内に設けた放電電極と、該放電電極に高周波電力を印加する給電導体とを、少なくとも有する堆積膜の形成装置であって、前記真空容器内において前記給電導体を囲むように配置されたアースシールド、及び、前記給電導体と前記アースシールドとの間に配置された複数の誘電体材料を有することを特徴とする堆積膜の形成装置。

IPC (3)：

C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/24

FI (3)：

C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-149147   Applicant：松下電器産業株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-079803   Applicant：キヤノン株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-098924   Applicant：東京エレクトロン山梨株式会社