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J-GLOBAL ID：200903050774916400
化合物半導体の成長方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995085525
Publication number (International publication number)：1996288217
Application date： Apr. 11, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：
【要約】【目的】 従来の複雑な工程を必要とした方法を改善し、簡便に所望のIII -V族化合物半導体を制限された表面領域に選択的に形成することを可能とすることを目的とする。【構成】半導体基板上または薄膜上にIII -V化合物半導体を成長させる方法において、上記基板上または薄膜上に所望のIII -V化合物半導体薄膜を形成するに際して、III 族元素弗化物からなる分子線源とV族元素を含む材料からなる分子線源とを用いて上記基板または薄膜表面にIII 族元素弗化物分子線とV族元素を含む材料からなる分子線とを照射する第1の工程と、上記第1の工程と同時に、電子線、放射光、レーザー光線のうち少なくとも一つを上記基板または薄膜表面に照射することでIII -V化合物半導体薄膜を形成する第2の工程とを有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上または薄膜上にIII -V化合物半導体を成長させる方法において、前記基板上または薄膜上に所望のIII -V化合物半導体薄膜を形成する際に、III 族元素弗化物からなる分子線源とV族元素を含む材料からなる分子線源とを用いて前記基板または薄膜表面にIII 族元素弗化物分子線とV族元素を含む材料からなる分子線とを照射する第1の工程と、前記第1の工程と同時に、電子線、放射光、レーザー光線のうち少なくとも一つを前記基板または薄膜表面に照射することでIII -V化合物半導体薄膜を形成する第2の工程とを有することを特徴とする化合物半導体の成長方法。
IPC (5)：
H01L 21/203
, C30B 29/40 502
, C30B 30/02
, H01L 21/263
, H01L 21/268
H01L 21/203 M
, C30B 29/40 502 K
, C30B 30/02
, H01L 21/263
, H01L 21/268 A
