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J-GLOBAL ID:200903050792678818
走査型荷電粒子線応用装置ならびにそれを用いた顕微方法および半導体装置製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998219254
Publication number (International publication number):2000058410
Application date: Aug. 03, 1998
Publication date: Feb. 25, 2000
Summary:
【要約】【課題】画面中の二次元寸法を測定してパターン像を評価し、製造工程の自動化、高精度加工を実現する走査型荷電粒子線応用装置を提供する。【解決手段】 参照パターン像315と、加工装置で加工された実パターンに荷電粒子線を照射し得られる信号を検出系308で検出し、検出信号を信号処理系309で処理したパターンを観察パターン像316として、参照パターン像315と共に表示系310の同一画面上に表示し、両パターン像を判断パラメータに基づき判断部312で比較し、その結果をネットワーク314を介して加工装置へ出力する入出力手段313を備えたものである。
Claim (excerpt):
加工装置により設計パターンにしたがい加工された被加工基板上の実パターンに集束荷電粒子線を照射するためのレンズ系と、被加工基板に該荷電粒子線を照射することによって該被加工基板上の実パターンから発生する二次電子および/もしくは反射電子を捕獲する検出系と、該検出信号を二次元画像信号に変換処理する信号処理系と、該二次元画像信号を観察パターン像として表示する表示系と、メモリ部を具備した走査型荷電粒子線応用装置であって、該観察パターン像が表示されている表示系に、該観察パターンに基づく該実パターンの判定条件の像を表示する手段を備えたことを特徴とする走査型荷電粒子線応用装置。
IPC (4):
H01L 21/027
, G01B 15/00
, H01J 37/22 502
, H01L 21/66
FI (4):
H01L 21/30 541 D
, G01B 15/00 B
, H01J 37/22 502 H
, H01L 21/66 J
F-Term (29):
2F067AA54
, 2F067AA57
, 2F067BB04
, 2F067CC17
, 2F067EE03
, 2F067EE04
, 2F067EE10
, 2F067HH06
, 2F067JJ05
, 2F067KK04
, 2F067KK08
, 2F067LL00
, 2F067LL14
, 2F067RR35
, 2F067SS13
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106BA03
, 4M106CA39
, 4M106DB05
, 4M106DJ18
, 4M106DJ21
, 4M106DJ23
, 5F056BA05
, 5F056BA08
, 5F056BB01
, 5F056BC08
, 5F056CA25
, 5F056CB40
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開平4-149943
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パターン形状検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-343083
Applicant:株式会社日立製作所
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特開昭63-122217
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マスクパターンの補正方法および補正装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-053053
Applicant:ソニー株式会社
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走査型電子顕微鏡
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-230458
Applicant:株式会社日立製作所
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