薄膜式微小AEセンサ及びその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996073420
Publication number (International publication number)：1997264879
Application date： Mar. 28, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】周波数帯域20〜100KHzのAE波を、高い感度、高い分解能で検出できる薄膜式微小AEセンサを得るとともに、このようなセンサの製造方法を得る。【解決手段】カンチレバー式の梁部5を備えるとともに、梁部5に圧電材料の薄膜層を備え、前記薄膜層の歪みに伴う電気出力を検出する出力検出部を、前記薄膜層の表面及び裏面にそれぞれ形成される膜状の電極層として備えた薄膜式微小AEセンサであって、延出長さの異なった複数の前記梁部5が備えられるとともに、前記複数の梁部5にあって、その共振周波数が第1基本共振周波数の第1基本周波数梁部5aと、前記第1基本共振周波数の整数倍とは異なった第2基本共振周波数の第2基本周波数梁部5bとを少なくとも備えて、センサを構成する。

Claim (excerpt)：

カンチレバー式の梁部(5)を備えるとともに、前記梁部(5)に圧電材料の薄膜層を備え、前記薄膜層の歪みに伴う電気出力を検出する出力検出部(10)(12)を、前記薄膜層の表面及び裏面にそれぞれ形成される膜状の電極層として備えた薄膜式微小AEセンサであって、延出長さの異なった複数の前記梁部(5)が備えられるとともに、前記複数の梁部(5)にあって、その共振周波数が第1基本共振周波数の第1基本周波数梁部(5a)と、前記第1基本共振周波数の整数倍とは異なった第2基本共振周波数の第2基本周波数梁部(5b)とを少なくとも備えた薄膜式微小AEセンサ。

IPC (4)：

G01N 29/14 , H01L 41/08 , H01L 41/187 , H01L 41/22

FI (4)：

G01N 29/14 , H01L 41/08 Z , H01L 41/18 101 D , H01L 41/22 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

振動検出装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-084927 Applicant：新技術事業団, 松下電工株式会社

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