窒化物半導体レーザ素子の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996349418
Publication number (International publication number)：1998190149
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【目的】劈開の難しいサファイア基板の上に成長された窒化物半導体に共振面が形成されて、楕円状のファーフィールドパターン形状を有するレーザビームが得られるレーザ素子の製造方法を提供する。【構成】 C面を主面とするサファイア基板の上に窒化物半導体層を成長させた後、その窒化物半導体層をエッチングして、窒化物半導体層のエッチング端面に共振面を作製する第1の工程と、エッチングにより連続してできた互いに対向する共振面と共振面との間のサファイア基板をA面若しくはM面で分割する第2の工程と、共振面より突出した基板を含む部分が、共振面より出射されるレーザ光を遮らないようにする第3の工程を備えることにより、レーザ光が共振面より突出した部分の平面で反射されないので楕円状のレーザ光が得られる。

Claim (excerpt)：

C面を主面とするサファイア基板の上に窒化物半導体層を成長させた後、その窒化物半導体層をエッチングして、窒化物半導体層のエッチング端面に共振面を作製する第1の工程と、エッチングにより連続してできた互いに対向する共振面と共振面との間のサファイア基板をA面若しくはM面で分割する第2の工程と、共振面より突出した基板を含む部分が、共振面より出射されるレーザ光を遮らないようにする第3の工程を備えることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-295433 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開昭63-019891
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-309143 Applicant：株式会社リコー

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