Pat

J-GLOBAL ID：200903051088616765

窒化物半導体素子

Inventor： 山田 孝夫 ,  長濱 慎一 ,  蝶々 一幸 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997051232
Publication number (International publication number)：1998290047
Application date： Mar. 06, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【目的】 結晶性が良く、高出力、高効率の窒化物半導体よりなる素子を提供し、具体的に低閾値電流で連続発振するレーザ素子、及び高効率なLED素子を実現する。【構成】 基板上部に、n不純物がドープされていないか、若しくはn型不純物濃度が小さい窒化物半導体よりなる第1の層を有し、その第1の層上部に、第1の層よりもn型不純物濃度が大きい窒化物半導体よりなる第2の層を有し、その第2の層に負電極が形成されていることにより、結晶性が良く高キャリア濃度の第2の層が形成できるため、負電極とのオーミック性が良くなり、素子の効率が向上する。

Claim (excerpt)：

基板上部に、n型不純物がドープされていない膜厚0.1μm以上の窒化物半導体よりなる第1の層を有し、その第1の層上部に、n型不純物がドープされた窒化物半導体よりなる第2の層を有し、その第2の層に負電極が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 化合物半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-016825   Applicant：株式会社東芝
• 半導体素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-107834   Applicant：三洋電機株式会社
• 3-5族化合物半導体と発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-046785   Applicant：住友化学工業株式会社