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J-GLOBAL ID：200903074418836694

半導体素子とその製造方法

Inventor： 狩野 隆司 ,  國里 竜也 ,  上田 康博 ,  松下 保彦 ,  八木 克己
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996107834
Publication number (International publication number)：1997293897
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ピット数を低減し且つ平坦な成長層が得られる半導体素子とその製造方法を提供することが目的である。【解決手段】 III-V族窒化物系半導体からなる半導体素子において、基板1上に、III-V族窒化物系半導体からなるバッファ層2及びアンドープのIII-V族窒化物系半導体からなる単結晶下地層3をこの順序で備える。

Claim (excerpt)：

III-V族窒化物系半導体からなる半導体素子において、基板上に、III-V族窒化物系半導体からなるバッファ層及びアンドープのIII-V族窒化物系半導体からなる単結晶下地層をこの順序で備えることを特徴とする半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 3-5族化合物半導体と発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-046785   Applicant：住友化学工業株式会社
• n型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-227679   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-242985
  
• 特開平4-321280