3-5族化合物半導体と発光素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995046785
Publication number (International publication number)：1995302929
Application date： Mar. 07, 1995
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】Inを含む高品質の3-5族化合物半導体及びこれを用いた高い発光効率を有する発光素子を提供する。【構成】発光層と電荷注入層とを有する層と、基板との間に、バッファ層を有し、発光層が一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体であって、電荷注入層が一般式In<SB>x'</SB>Ga<SB>y'</SB>Al<SB>z'</SB>N(式中、0<x’≦1、0≦y’<1、0≦z’<1、x’+y’+z’=1)で表され、発光層よりも大きなバンドギャップを有する3-5族化合物半導体であって、バッファ層が、一般式In<SB>u </SB>Ga<SB>v </SB>Al<SB>w </SB>N(式中、0<u≦1、0≦v<1、0≦w<1、u+v+w=1)で表され、少なくとも2つの組成の異なる層からなり、少なくとも1つの層においてw>0である積層構造を含むことを特徴とする3-5族化合物半導体。

Claim (excerpt)：

発光層と電荷注入層とを有する層と、基板との間に、バッファ層を有し、発光層が一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体であって、電荷注入層が一般式In<SB>x'</SB>Ga<SB>y'</SB>Al<SB>z'</SB>N(式中、0<x’≦1、0≦y’<1、0≦z’<1、x’+y’+z’=1)で表され、発光層よりも大きなバンドギャップを有する3-5族化合物半導体であって、バッファ層が、一般式In<SB>u</SB>Ga<SB>v </SB>Al<SB>w </SB>N(式中、0<u≦1、0≦v<1、0≦w<1、u+v+w=1)で表され、少なくとも2つの組成の異なる層からなり、少なくとも1つの層においてw>0である積層構造を含むことを特徴とする3-5族化合物半導体。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

量子井戸型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-314770 Applicant：旭化成工業株式会社
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-135220 Applicant：旭化成工業株式会社
積層半導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-348400 Applicant：シャープ株式会社

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