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J-GLOBAL ID:200903051204781230
多孔性ダイヤモンド層及び多孔性ダイヤモンド粒子の製造方法及びそれらを使用する電気化学用電極
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
森 浩之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004378657
Publication number (International publication number):2006183102
Application date: Dec. 28, 2004
Publication date: Jul. 13, 2006
Summary:
【課題】 従来のダイヤモンド電極より多数の微細孔を有し、電極活性の高いダイヤモンド電極の製造方法を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド層に析出させた金属粒子を、還元ガス雰囲気中で熱処理することにより、前記金属を触媒とする炭素還元反応を進行させ、前記ダイヤモンド層の表面に微細孔を形成させる。ダイヤモンド層表面に担持した金属粒子を利用するため、原子レベル又はそれに近いレベルで微細孔が形成されたダイヤモンド層やダイヤモンド粒子が得られる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
基材表面に被覆したダイヤモンド層に、炭素反応性の金属粒子を析出させ、還元ガス雰囲気中で熱処理することにより、前記金属を触媒とする炭素還元反応を進行させ、前記ダイヤモンド層の表面に微細孔を形成させることを特徴とする多孔性ダイヤモンド層の製造方法。
IPC (7):
C25B 11/06
, C01B 31/06
, C25B 11/03
, C25B 11/12
, C25C 7/02
, C25D 17/10
, C30B 29/04
FI (7):
C25B11/06 Z
, C01B31/06 A
, C25B11/03
, C25B11/12
, C25C7/02 306
, C25D17/10 101A
, C30B29/04 V
F-Term (36):
4G077AA01
, 4G077AA03
, 4G077BA03
, 4G077FE11
, 4G077FG06
, 4G146AA04
, 4G146AB01
, 4G146AB07
, 4G146AC04A
, 4G146AC04B
, 4G146AC05A
, 4G146AC05B
, 4G146AC06A
, 4G146AC06B
, 4G146AC16B
, 4G146AD11
, 4G146AD23
, 4G146BA11
, 4G146BA49
, 4G146BC09
, 4G146BC23
, 4G146BC25
, 4G146BC33B
, 4G146BC35B
, 4G146BC37B
, 4G146BC44
, 4G146BC45
, 4G146CA02
, 4G146CA11
, 4K011AA13
, 4K011AA20
, 4K011AA66
, 4K011DA01
, 4K011DA03
, 4K011DA10
, 4K058ED03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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ダイアモンドのエッチング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-205271
Applicant:財団法人地球環境産業技術研究機構, 住友電気工業株式会社
Article cited by the Patent:
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