半導体集積回路装置及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋明夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996235012
Publication number (International publication number)：1998079479
Application date： Sep. 05, 1996
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】DRAMの様な立体状のキャパシタをもつ半導体集積回路装置の高信頼性を高め、更に集積密度を高める。【解決手段】キャパシタの蓄積容量を増加するために厚さの厚い蓄積電極14と周辺回路部の金属配線15を同一層内に設けた同一金属材料の導電膜で兼用する。【効果】これによりメモリセル領域と周辺回路領域に大きな標高差が生じないため、それぞれの領域部分に微細な配線を形成することができる。大きな蓄積容量のキャパシタを微細なメモリセルに形成することができるために高信頼で、高密度な半導体集積回路装置が実現できる。

Claim (excerpt)：

単一の半導体基板に第1の回路領域と第2の回路領域が形成され、上記第1の回路領域が第1トランジスタと第1トランジスタに接続されたキャパシタをもち、このキャパシタが第1トランジスタが形成された基板主面より上部に形成され、第1トランジスタに接続された所定の厚さをもつ第1電極、第1電極表面上に誘電体を介して形成された第2電極とからなる立体状のキャパシタで、第2の回路領域が第2トランジスタをもつ半導体集積回路装置において、上記第2の回路領域の第2トランジスタが形成された基板主面より上部に、上記第1電極と同一厚さ、かつ、同一材料からなる第1配線層が形成されたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 621 B , H01L 27/04 C , H01L 27/10 681 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体記憶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-244114 Applicant：株式会社東芝
半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-081626 Applicant：三菱電機株式会社
半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-283672 Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (3)

半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-283672 Applicant：三菱電機株式会社
半導体記憶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-244114 Applicant：株式会社東芝
半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-081626 Applicant：三菱電機株式会社

Return to Previous Page