半導体記憶装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995244114
Publication number (International publication number)：1997092794
Application date： Sep. 22, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】セル部分と周辺回路部分の段差を低減し、蓄積電極の加工を容易にし、周辺回路部分に配線抵抗の小さい多層配線を形成し、さらにセル部分と周辺回路部分の製造工程を整合し簡略化する。【解決手段】半導体基板1上にトランジスタT1、T2を形成し、トランジスタT1、T2上に層間絶縁膜6を介してビット線13を形成し、ビット線13上に層間絶縁膜14を形成し、層間絶縁膜14を開孔して接続孔8c,9c,10c と蓄積電極のための溝15と周辺回路部分の配線層のための溝16を形成し、導電性電極材料を接続孔8c,9c、10c および溝15、16の内部に埋め込み層間絶縁膜14上に堆積する工程と、導電性電極材料を層間絶縁膜14の表面が露出するまで除去して接続孔8c、9c、10c および溝15、16の内部のみに残存させる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタ上に層間絶縁膜を介してビット線となる配線層を形成する工程と、前記配線層上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に導電性電極材料を堆積する工程と、前記導電性電極材料を加工してセルの電荷蓄積電極とセル領域外の配線層を同時に形成する工程とを具備することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/04 C , H01L 27/10 681 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-270029 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-194658 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-190469 Applicant：日本電気株式会社

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