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J-GLOBAL ID：200903051218263100

半導体装置の製造方法

Inventor： 東 光敏 ,  赤川 雅俊 ,  飯塚 肇 ,  荒井 剛彦
Applicant, Patent owner： 新光電気工業株式会社
Agent (1)： 綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995226250
Publication number (International publication number)：1996340002
Application date： Sep. 04, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【課題】 容易かつ低コストで製造できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 パッシベーション膜34が形成された半導体チップ32上に一方の面に金属層40aが貼着された絶縁シート38を他方の面にて固着する工程と、半導体チップ32の電極36に対応する金属層40aの部位を孔明け加工する工程と、該孔明け加工により形成された金属層40aの孔40bに対応する部位の絶縁シート38に孔明け加工し、電極36を露出させる工程と、前記孔明け加工により形成された孔を介して電極36と金属層40aとの電気的接続をとる接続工程と、金属層40aを所要の配線パターン40に形成する工程と、配線パターン40の外部接続端子接合部43を露出して絶縁シート38上に絶縁皮膜42を形成する工程と、露出された外部接続端子接合部43に外部接続端子を接合する工程を含むことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

パッシベーション膜が形成された半導体チップ上に一方の面に金属層が形成された絶縁シートの他方の面を固着する工程と、前記半導体チップの電極に対応する前記金属層の部位を孔明け加工する工程と、該孔明け加工により形成された金属層の孔に対応する部位の前記絶縁シートに孔明け加工し、前記電極を露出させる工程と、前記孔明け加工により形成された孔を介して前記電極と前記金属層とを電気的に接続する工程と、前記金属層を所要の配線パターンに形成する工程と、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出して前記絶縁シート上に絶縁皮膜を形成する工程と、前記露出された外部接続端子接合部に外部接続端子を接合する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (5)：

H01L 21/92 604 S ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 603 Z ,  H01L 21/92 604 Z