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J-GLOBAL ID：200903051268243460

プラズマ処理装置

Inventor： 竹谷 元伸 ,  蔡 基成 ,  大見 忠弘
Applicant, Patent owner： 株式会社フロンテック ,  大見 忠弘
Agent (1)： 志賀 正武 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998242233
Publication number (International publication number)：2000077335
Application date： Aug. 27, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ラジアルラインスロットアンテナを構成するスロット体と遅波路形成体との密着性を向上させることによりマイクロ波の放射効率向上、均一性向上が図れるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマを励起させるマイクロ波をチャンバー2内に放射するラジアルラインスロットアンテナ3を具備し、このアンテナ3が、マイクロ波放射用のスロット穴を多数有するスロット体12と、プラズマ形成空間6側と反対側のスロット体12表面に設けられた誘電体からなるマイクロ波の遅波路形成体11と、プラズマ形成空間6側のスロット体12表面に設けられ遅波路形成体11と協働してスロット体12を挟持してマイクロ波を透過させる誘電体からなる押さえ体14とから構成されている。

Claim (excerpt)：

プラズマを励起させるマイクロ波をチャンバー内に放射するスロットアンテナを具備し、該スロットアンテナが、マイクロ波放射用のスロットを多数有するスロット体と、プラズマ形成空間側と反対側の前記スロット体表面に設けられた誘電体からなるマイクロ波の遅波路形成体と、プラズマ形成空間側の前記スロット体表面に設けられ前記遅波路形成体と協働して前記スロット体を挟持してマイクロ波を透過させる誘電体からなる押さえ体とからなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/31 ,  H01Q 13/20 ,  H01Q 21/24 ,  H05H 1/46

FI (6)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 E ,  H01L 21/31 C ,  H01Q 13/20 ,  H01Q 21/24 ,  H05H 1/46 B

F-Term (19)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA02 ,  5F045AA08 ,  5F045AC01 ,  5F045BB09 ,  5F045DP03 ,  5F045DP15 ,  5F045EH02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH14 ,  5J021AA05 ,  5J021AA09 ,  5J021AB05 ,  5J021FA09 ,  5J045DA05 ,  5J045LA02 ,  5J045NA00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-153357   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 後藤尚久, 安藤真, 高田潤一, 堀池靖浩
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-010089   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭63-263725
  

Cited by examiner (3)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-153357   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 後藤尚久, 安藤真, 高田潤一, 堀池靖浩
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-010089   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭63-263725