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J-GLOBAL ID:200903051288824575
ガスを送出する装置及び方法
Inventor:
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,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000502523
Publication number (International publication number):2001509645
Application date: Jul. 10, 1998
Publication date: Jul. 24, 2001
Summary:
【要約】ガスの流れを、基板のエッジ対して基板の半径方向向かってある角度で放出するガス送出装置である。本装置は、ガスをガスオリフィスから、基板の半径方向に対して角度付けされた複数の溝の上を通って基板の半径方向に送出する。結果として得られるガス流は、基板の半径方向に対して10度〜90度のある角度で流れる。
Claim (excerpt):
半径方向領域(dimension)、周辺エッジ、及び偏角表面とを有する偏角部材と、 前記偏角部材の前記周辺エッジにガスの流れを供給するように適合されたガス供給部材と、 前記偏角部材の前記周辺エッジから、前記偏角部材の前記偏角表面上を横切ってガスを放出するように適合され且つ配置されたガス流放出部材と、 前記偏角部材の前記半径方向領域に対して、1つの角度でガス流を放出するように適合された、前記偏角表面の表面に形成された1つ以上の溝と、 を備える、処理システム中にガス流を送出する装置。
IPC (4):
H01L 21/205
, C23C 14/34
, C23C 16/448
, H01L 21/3065
FI (4):
H01L 21/205
, C23C 14/34 M
, C23C 16/448
, H01L 21/302 B
F-Term (23):
4K029DA06
, 4K029JA01
, 4K030EA06
, 4K030GA02
, 4K030KA12
, 5F004AA16
, 5F004BB18
, 5F004BB23
, 5F004BB28
, 5F004BC08
, 5F004BD04
, 5F004CA02
, 5F004CA09
, 5F045EB02
, 5F045EE14
, 5F045EE20
, 5F045EF14
, 5F045EF15
, 5F045EM02
, 5F045EM03
, 5F045EM07
, 5F045EM10
, 5F045EN04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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CVD装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-129206
Applicant:アネルバ株式会社
-
成膜装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-103739
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体製造装置及び半導体製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-120009
Applicant:三菱電機株式会社
-
基板裏面への堆積を減少させる処理装置及び処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-153293
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
-
半導体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-209917
Applicant:ソニー株式会社
-
基板処理方法及びCVD処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-250965
Applicant:アネルバ株式会社
-
基板プロセス装置でのエッジ堆積を制御する移動可能リング
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-146214
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
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