半導体装置およびその製造方法ならびに半導体装置を用いた液晶駆動装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995302534
Publication number (International publication number)：1997148582
Application date： Nov. 21, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体装置におけるドレイン-ソ-ス間の漏れ電流を抑制するとともに、大きな駆動電流を得ること。【解決手段】活性層4の厚さ方向における一方側に、活性層4と接する第1絶縁層3と、活性層4の厚さ方向における他方側に活性層4と接する第2絶縁層5と、第1絶縁層3を介して活性層4に所定の電圧を印加する第1ゲート電極G1と、第2絶縁層5を介して活性層4に所定の電圧を印加する第2ゲート電極G2とを備えている。

Claim (excerpt)：

非晶質シリコン膜または多結晶シリコン膜から成る活性層を備えた半導体装置であって、前記活性層の厚さ方向における一方側に、該活性層と接する第1絶縁層と、前記活性層の厚さ方向における他方側に、該活性層と接する第2絶縁層と、前記第1絶縁層を介して前記活性層に所定の電圧を印加する第1電極と、前記第2絶縁層を介して前記活性層に所定の電圧を印加する第2電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 N , H01L 29/78 617 U

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-301216 Applicant：カシオ計算機株式会社
薄膜フォトトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-048693 Applicant：ティーディーケイ株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所
特開平3-250700

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Cited by examiner (9)

薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-301216 Applicant：カシオ計算機株式会社
薄膜フォトトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-048693 Applicant：ティーディーケイ株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所
特開平3-250700

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