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J-GLOBAL ID：200903051307989882

窒化物半導体発光素子

Inventor： 梅本 整 ,  妹尾 雅之 ,  今泉 幾子 ,  丸岡 亜寿佳 ,  吉田 妃呂子
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996261919
Publication number (International publication number)：1998107384
Application date： Oct. 02, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【目的】 酸化物基板の上に成長された窒化物半導体よりなる発光チップが、ヒートシンク、リードフレームのような支持体にフェースアップでダイボンディングされた発光素子を実現するに際し、チップの接着性が大きく、かつ放熱性の高い発光素子を提供する。【構成】 第1の主面と第2の主面とを有する酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長され、第2の主面側に電気陰性度が2.0未満の金属を含む第1の薄膜が形成された発光チップが、第1の薄膜と支持体表面とが対向した状態で、導電性の接着剤を介して、支持体にダイボンディングされていることにより、発光チップが強固に接着されている。

Claim (excerpt)：

第1の主面と第2の主面とを有する酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長され、第2の主面側に電気陰性度が2.0未満の金属を含む第1の薄膜が形成された発光チップが、第1の薄膜と支持体表面とが対向した状態で、導電性の接着剤を介して、支持体にダイボンディングされてなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-222627   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開昭63-263733
  
• 特開昭59-107527
  
• 特開昭58-112337
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-022671   Applicant：日亜化学工業株式会社