半導体発光素子の製法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997077818
Publication number (International publication number)：1998275936
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】ウェハから各チップにブレークする場合に、そのブレークを容易に行うことができると共に、積層される半導体層の発光部を損傷しないようにブレークすることができる半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】ウェハの状態の基板1上に半導体層3〜5を積層し、該積層される半導体層の表面の第1導電形の半導体層(p形層5)および前記積層される半導体層の一部を除去して露出する第2導電形の半導体層(n形層3)の露出部にそれぞれ接続して複数個の各チップごとに電極8、9を設け、前記ウェハを各チップにブレークする半導体発光素子の製法であって、前記各チップの境界部Sの前記積層される半導体層をエッチングして前記基板を露出させてから該基板をブレークして各チップに分割することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ウェハの状態の基板上に半導体層を積層し、該積層される半導体層の表面の第1導電形の半導体層および前記積層される半導体層の一部を除去して露出する第2導電形の半導体層の露出部にそれぞれ電気的に接続して複数個の各チップごとに電極を設け、前記ウェハを各チップにブレークする半導体発光素子の製法であって、前記各チップの境界部の前記積層される半導体層をエッチングして前記基板を露出させてから、該露出した部分で基板をブレークして各チップに分割することを特徴とする半導体発光素子の製法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 27/12

FI (3)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01L 27/12 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-300940 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-143555 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開昭53-115191

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