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J-GLOBAL ID：200903051401957773

III族窒化物結晶の表面平坦性改善方法、エピタキシャル成長用基板、および半導体素子

Inventor：
柴田 智彦

About 柴田 智彦

, 
浅井 圭一郎

About 浅井 圭一郎

, 
角谷 茂明

About 角谷 茂明


Applicant, Patent owner：
日本碍子株式会社

About 日本碍子株式会社


Agent (3)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005168463
Publication number (International publication number)：2006332570
Application date： Jun. 08, 2005
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：
【課題】作製条件に特段の制限を設けることなく、III族窒化物結晶における表面平坦性の向上を実現する方法を提供する。【解決手段】単結晶の基材1とその主面上にエピタキシャル形成されたIII族窒化物結晶膜からなる上部層2とで構成されたエピタキシャル基板10を、窒素雰囲気下で1250°C以上の温度で加熱処理する。【効果】表面におけるピットが低減することにより表面平坦性が改善し、また、III族窒化物結晶内の転位密度が熱処理前の1/2以下となる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
所定の単結晶基材の上にエピタキシャル形成されてなるIII族窒化物結晶の表面平坦性改善方法であって、 前記III族窒化物結晶の形成温度よりも高い加熱温度に加熱する加熱工程、 を備えることを特徴とするIII族窒化物結晶の表面平坦性改善方法。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/20
FI (4)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 C ,  C30B33/02 ,  H01L21/20
F-Term (51)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE13 ,  4G077DA05 ,  4G077DA11 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FE06 ,  4G077FE11 ,  4G077FJ01 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077SA04 ,  4G077SB01 ,  4G077SB06 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AA12 ,  5F045AB09 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045HA16 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152LN03 ,  5F152LN04 ,  5F152LN22 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN07 ,  5F152NN09 ,  5F152NN10 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN27 ,  5F152NN30 ,  5F152NQ09 ,  5F152NQ17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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