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J-GLOBAL ID：200903051416869927

窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法および半導体装置

Inventor：
河合 弘治

About 河合 弘治


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997066536
Publication number (International publication number)：1998261614
Application date： Mar. 19, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：
【要約】【課題】 Alを含まない窒化物系化合物半導体を、下地に対してほぼ完全に選択的にエッチングすることができ、しかもエッチングの際に損傷を伴わない窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法およびこの選択エッチング方法を用いて製造される半導体装置を提供する。【解決手段】 Cl2 ガスなどのハロゲンガスおよびHClガスなどのハロゲン化合物ガスのうちの少なくとも一方からなる第1のガスとH2 ガスおよびN2ガスなどの不活性ガスのうちの少なくとも一方からなる第2のガスとの混合ガスからなるエッチングガスを用い、Alを含む窒化物系化合物半導体をエッチングストップ層としてAlを含まない窒化物系化合物半導体を気相で熱化学的にエッチングする。
Claim (excerpt)：
ハロゲンガスおよびハロゲン化合物ガスのうちの少なくとも一方からなる第1のガスと水素ガスおよび不活性ガスのうちの少なくとも一方からなる第2のガスとの混合ガスからなるエッチングガスを用い、アルミニウムを含む窒化物系化合物半導体をエッチングストップ層としてアルミニウムを含まない窒化物系化合物半導体を選択的にエッチングするようにしたことを特徴とする窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法。
IPC (6)：
H01L 21/306 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (4)：
H01L 21/302 P ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/80 H
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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