Pat
J-GLOBAL ID：200903052584363709

III族-N系結晶の気相エッチング方法および再成長方法

Inventor：
金子 和

About 金子 和

, 
山田 範秀

About 山田 範秀


Applicant, Patent owner：
ヒューレット・パッカード・カンパニー

About ヒューレット・パッカード・カンパニー


Agent (1)： 久保田 千賀志 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995212374
Publication number (International publication number)：1997045670
Application date： Jul. 29, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：
【要約】【課題】 プラズマ照射を行わない気相によるエッチング方法で、表面性状が良好なエッチング面を得ることができ、従ってエッチング面への再成長が可能であり、結晶がダメージを受けることのないIII族-N系結晶のエッチング方法と、該エッチング終了後直ちに再成長を行う方法とを提供する。【解決手段】 III族-N系結晶を、(1)ハロゲンガスおよび水素化ハロゲンガスからなるハロゲンガス系グループから選ばれる少なくとも1種と、水素ガスとの混合気流下、(2)ハロゲンガス系グループから選ばれる少なくとも1種の気流下、または(3)前記(1)または前記(2)を不活性ガスで希釈した気流下でエッチングする。また、この気相エッチング方法でエッチングし、続いて該エッチング面に再成長を行う。
Claim (excerpt)：
III族-N系結晶を、(1)ハロゲンガスおよび水素化ハロゲンガスからなるハロゲンガス系グループから選ばれる少なくとも1種と、水素ガスとの混合気流下、(2)ハロゲンガス系グループから選ばれる少なくとも1種の気流下、または(3)前記(1)または前記(2)を不活性ガスで希釈した気流下、でエッチングすることを特徴とするIII族-N系結晶の気相エッチング方法。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18
FI (4)：
H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM