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J-GLOBAL ID:200903051428057537

プラズモン共鳴構造体及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梶原 康稔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005176899
Publication number (International publication number):2006349532
Application date: Jun. 16, 2005
Publication date: Dec. 28, 2006
Summary:
【課題】 厚み方向とその直交方向のプラズモン共鳴を良好に制御することにより、プラズモン共鳴による電場増強効果の向上を図る。【解決手段】 プラズモン共鳴構造体10は、金属ナノ粒子層PMと、誘電体粒子層PDを交互に積層した構成となっている。金属ナノ粒子層PMは、積層方向と直行する方向に、ナノ微粒子としてAu,Ag,Alなどの金属ドメインを、適当な間隔で形成した構造となっている。誘電体粒子層PDとしては、例えばSiO2が使用される。金属ナノ粒子や誘電体粒子の粒径,粒子の間隔,積層数を変更することで、プラズモン共鳴構造体の厚み方向とその直交方向のプラズモン共鳴を制御できる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
金属ナノ粒子によって構成された金属ナノ粒子層により、膜の厚み方向とその直交方向に個別のモードでプラズモン共鳴が生ずるプラズモン共鳴構造体であって、 前記金属ナノ粒子層の間に、誘電体粒子によって構成された誘電体粒子層を形成したことを特徴とするプラズモン共鳴構造体。
IPC (1):
G01N 21/27
FI (1):
G01N21/27 C
F-Term (8):
2G059AA01 ,  2G059EE02 ,  2G059GG10 ,  2G059HH02 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ01 ,  2G059KK01 ,  2G059MM03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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