電気デバイスおよびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂口博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997086223
Publication number (International publication number)：1998041474
Application date： Apr. 04, 1997
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】ノン・プレーナー・コンデンサおよび強誘電体のメモリ・セルの内部に、誘電体構造を形成する製造方法、およびこれらの製造方法を用いたメモリ・デバイス構造を提供する。【解決手段】強誘電性のまたは高誘電率の誘電材料を付着して、幾何学的な幅が、最終デバイスにおける強誘電体または高誘電率誘電体の電気的活性部分の厚さの唯一の決定要素となる凹部を、完全に充填する製造方法である。好適な実施例においては、誘電体が付着される凹部は、誘電体の付着の前のスルー・マスクめっき工程で、付着されパターニングされる、プレート電極とスタック電極との間のギャップによって画成される。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板内に形成され、第1の導電材料からなる第1の導電領域と、前記基板上に形成された第1の誘電体層とを備え、前記第1の誘電体層が、前記第1の導電領域の一部の上にコンタクト・バイアを有し、前記コンタクト・バイアが、第2の導電材料でほぼ充填され、前記第1の誘電体層上に形成されたほぼ平坦な層を備え、前記ほぼ平坦な層が、それぞれ第3および第4の導電材料からなる、分離された第1および第2の電極を有し、前記第1および第2の電極が、ギャップを画成するように付着され、前記ギャップの幅が、前記第1および第2の電極の側壁の間の間隔に等しく、前記第1の電極が、前記第2の電極を取り囲み、前記第2の電極が、前記コンタクト・バイアの上に配置され、かつ、前記第1の電極から絶縁され、前記第1および第2の電極の間の前記ギャップを充填する第2の誘電材料を備える、ことを特徴とする電気デバイス。

IPC (4)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体集積回路用容量素子及び製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-015446 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-149519 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平4-014862

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