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J-GLOBAL ID:200903051471696934

透明導電膜およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 静男 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993190463
Publication number (International publication number):1995045127
Application date: Jul. 30, 1993
Publication date: Feb. 14, 1995
Summary:
【要約】【目的】 ITO膜よりも耐湿性に優れるとともに電子移動度が高い透明導電膜を提供する。【構成】 本発明の透明導電膜は、実質的にスピネル構造化合物からなることを特徴とする膜、またはSn,Al,Sb,Ga,InおよびGeからなる群より選択される少なくとも1種の元素がドープされたスピネル構造化合物から実質的になり、前記元素のドープ量が前記スピネル構造化合物を構成するカチオン元素の合量に対して20at%以下であることを特徴とする膜である。
Claim (excerpt):
実質的にスピネル構造化合物からなることを特徴とする透明導電膜。
IPC (5):
H01B 5/14 ,  C03C 17/25 ,  C30B 29/22 ,  C30B 31/04 ,  H01B 13/00 503
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 透明導電性酸化物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-346953   Applicant:ホーヤ株式会社
  • 透明電気伝導性酸化物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-079215   Applicant:新技術事業団

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