半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996041160
Publication number (International publication number)：1997232542
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】高密度のメモリセルを備えた信頼性の高い半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】容量絶縁膜を介して容量下部電極と容量上部電極とが対向するキャパシタを備えた半導体装置であって、前記容量下部電極の直下にのみ下敷き絶縁膜が設けられる。ここで、半導体基板上に、層間絶縁膜、下敷き用絶縁膜、第1の導電体膜等が順次積層して形成され、前記第1の導電体膜がパターニングされ前記パターニングされた第1の導電体膜をマスクにして前記下敷き用絶縁膜が選択的にエッチング除去される。

Claim (excerpt)：

容量絶縁膜を介して容量下部電極と容量上部電極とが対向するキャパシタを備えた半導体装置であって、前記容量下部電極の直下にのみ下敷き絶縁膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 621 B , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-186032 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-042358 Applicant：三菱電機株式会社
半導体メモリ素子のキャパシター及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-022901 Applicant：三星電子株式会社

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